三星首款12纳米级DDR5 DRAM 2023年量产

近日三星电子宣布，公司已成功开发出首款采用12纳米级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM。目前，三星电子已经与AMD完成了针对该新品的兼容性产品评估。

据三星电子方面透露，新款DRAM将成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。AMD方面则表示，AMD与三星电子的再度合作，主要围绕在Zen平台上优化和验证的DDR5内存产品展开。

三星电子12纳米级DDR5 DRAM的技术突破，通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圆生产率提高20%。在传输速度上，三星12nm级DRAM基于DDR5最新标准，拥有7.2千兆每秒（Gbps）的传输速度，一秒内可处理两部30GB超高清电影。

功耗方面，与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。三星电子透露，新款DRAM将于2023年量产，同时公司还计划将新DRAM产品扩展到更广泛的市场领域。。